「香港飛龍」標誌 本文内容： 如果您希望可以時常見面，歡迎標星收藏哦~來源：內容來自semiwiki，謝謝。要點總結：隨着間距尺寸的減小，EUV 光刻面臨着電子模糊、隨機性和偏振的挑戰。電子模糊導致的對比度損失約爲 50%，顯著影響隨機波動。偏振效應正日益成爲一箇令人擔憂的問題，導致圖像質量下降。隨着間距的不斷縮小，電子模糊、隨機性和現在的偏振，都在 EUV 光刻中產生越來越強的影響。隨着 EUV 光刻技術的不斷髮展，目標是越來越小的間距，新的物理限制不斷湧現，成爲強大的障礙。長期以來，隨機效應已被認爲是關鍵挑戰，而電子模糊最近也得到了深入研究 3，現在偏振效應正日益成爲圖像質量下降的一箇令人擔憂的問題。隨着行業向 2nm 節點邁進，這些影響形成了一場完美風暴，威脅着 EUV 印刷特徵的質量。模糊和偏振導致的對比度損失使得隨機波動更有可能跨越印刷閾值。圖 1 顯示了在 0.55 NA EUV 光刻系統上，18 nm 間距的偏振、模糊和隨機性的綜合影響。偶極子引起的衰減 6 被忽略，因爲它是一箇相對較小的影響。如果假設非偏振光 5，則對比度損失爲 14%，但電子模糊對加劇圖像中的隨機電子行爲的影響更爲顯著（約 50% 的對比度損失）。總對比度損失是通過將偏振引起的對比度降低與電子模糊引起的對比度降低相乘得到的。圖 1. 0.55 NA 13.5 nm 波長 EUV 光刻系統投影的 9 nm 半間距圖像。不包括圖像衰減 。右側顯示了假設的電子模糊。中心處的隨機電子密度圖假設非偏振光（50% TE，50% TM）。假設使用 20 nm 厚的金屬氧化物光刻膠（20/um 吸收）。邊緣“粗糙度”非常嚴重，足以被視爲缺陷。隨機波動跨越印刷閾值的概率不可忽略。隨着間距的減小，我們應該預期這種情況會變得更糟，因爲電子模糊的影響更加嚴重，以及非偏振光導致的對比度損失（圖 2）。圖 2. 圖像對比度的降低隨着間距的減小而惡化。電子密度中的隨機波動也相應地變得更加嚴重。除了間距之外，使用的假設與圖 1 相同。請注意，即使對於 14 nm 間距的情況，從 TE 偏振到非偏振導致的 23% 的對比度損失仍然小於電子模糊導致的對比度損失（約 60%）。隨着間距的不斷減小，偏振的影響將增加，同時模糊的影響也將增加。正如上述示例中提到的，儘管偏振被光刻界認爲是日益令人擔憂的問題，但電子模糊導致的對比度降低仍然更爲顯著。因此，我們必須預期對 EUV 特徵可印刷性和隨機圖像波動的任何有用的分析都應包含一箇現實的電子模糊模型。https://semiwiki.com/lithography/354401-a-perfect-storm-for-euv-lithography/半導體精品公衆號推薦專注半導體領域更多原創內容關注全球半導體產業動向與趨勢*免責聲明：本文由作者原創。文章內容系作者個人觀點，半導體行業觀察轉載僅爲了傳達一種不同的觀點，不代表半導體行業觀察對該觀點贊同或支持，如果有任何異議，歡迎聯繫半導體行業觀察。今天是《半導體行業觀察》爲您分享的第4084期內容，歡迎關注。『半導體第一垂直媒體』實時 專業 原創 深度公衆號ID：icbank喜歡我們的內容就點“在看”分享給小夥伴哦 (本文内容不代表本站观点。) --------------------------------- |
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